Wczytuję dane...
Model: HS-SSD-WAVE(N)(STD)/1024G/M.2/WW
Kod producenta: HS-SSD-WAVE(N)(STD)/1024G/M.2/WW
Waga produktu: 0.01 kg
Gwarancja: 24 miesięcy
Realizacja zamówienia: 2 dni
EAN: 6974202725679
Producent: HIKSEMI
KUP TERAZ!
i-Raty - raty online
i-Leasing - leasing online

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (N) 1TB M.2 2280 SATA (560/510 MB/s) 3D NAND

  • Symbol producenta: HS-SSD-WAVE(N)(STD)/1024G/M.2/WW
  • EAN/UPC: 6974202725679
Specyfikacja
ProducentHIKSEMI
Opis ogólnySSD HIKSEMI WAVE (N) 1TB M.2 2280 SATA (560/510 MB/s) 3D NAND
Informacje dodatkoweMaksymalny pobór prądu: 2.5 W
Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32 °F - 158°F)
Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - +185°F)
Okres rękojmi w miesiącach24
Miejsce serwisowaniaSerwis zewnętrzny
Strona o towarzehttps://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-wave-n.html
Pojemność dysku1 TB
Kolor obudowyCzarny (Black)
InterfejsM.2 SATA
Format dyskuM.2 2280
Typ dyskuSSD
Prędkość odczytu (max)560 MB/s
Prędkość zapisu (max)510 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)1500000 h
Odczyt losowy90000 IOPS
Zapis losowy75000 IOPS
Typ kości pamięci3D NAND
TBW (ang. Total Bytes Written)280.0
Wsparcie dla technologii TRIMTak
Cechy1TB;560/510 MB/s
Baza SCIPNie
Gwarancja producenta36

Podzespoły - Dyski twarde

  • Baza SCIP: 

    Nie

  • Gwarancja producenta: 

    36

  • Cechy: 

    1TB;560/510 MB/s

  • Producent: 

    HIKSEMI

  • Opis ogólny: 

    SSD HIKSEMI WAVE (N) 1TB M.2 2280 SATA (560/510 MB/s) 3D NAND

  • Informacje dodatkowe: 

    Maksymalny pobór prądu: 2.5 W Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32 °F - 158°F) Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - +185°F)

  • Okres rękojmi w miesiącach: 

    24

  • Miejsce serwisowania: 

    Serwis zewnętrzny

  • Strona o towarze: 

    https://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-wave-n.html

  • Pojemność dysku: 

    1 TB

  • Interfejs: 

    M.2 SATA

  • Format dysku: 

    M.2 2280

  • Typ dysku: 

    SSD

  • Kolor obudowy: 

    Czarny (Black)

  • Prędkość odczytu (max): 

    560 MB/s

  • Prędkość zapisu (max): 

    510 MB/s

  • Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 

    1500000 h

  • Odczyt losowy: 

    90000 IOPS

  • Zapis losowy: 

    75000 IOPS

  • Typ kości pamięci: 

    3D NAND

  • TBW (ang. Total Bytes Written): 

    280.0

  • Wsparcie dla technologii TRIM: 

    Tak

Polecamy