Wczytuję dane...
Model: HS-SSD-WAVE(P)(STD)/128G/PCIE3/WW
Kod producenta: HS-SSD-WAVE(P)(STD)/128G/PCIE3/WW
Waga produktu: 0.40 kg
Gwarancja: 24 miesięcy
EAN: 6974202725693
Producent: HIKSEMI
i-Raty - raty online
i-Leasing - leasing online

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1200/950 MB/s) 3D NAND

  • Symbol producenta: HS-SSD-WAVE(P)(STD)/128G/PCIE3/WW
  • EAN/UPC: 6974202725693
Specyfikacja
ProducentHIKSEMI
Opis ogólnySSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1200/950 MB/s) 3D
Informacje dodatkoweMaksymalny pobór prądu: 1.3 W
Temperatura pracy: 0°C - 70°C
Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Okres rękojmi w miesiącach24
Miejsce serwisowaniaSerwis zewnętrzny
Strona o towarzehttps://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-wave-p.html
Pojemność dysku128 GB
Kolor obudowyCzarny (Black)
InterfejsM.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Format dyskuM.2 2280
Typ dyskuSSD
Prędkość odczytu (max)1200 MB/s
Prędkość zapisu (max)950 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)1500000 h
Odczyt losowy55000 IOPS
Zapis losowy180000 IOPS
Typ kości pamięci3D NAND
TBW (ang. Total Bytes Written)80.0
Wsparcie dla technologii TRIMTak
Cechy128GB;1200/950 MB/s
Baza SCIPNie
Gwarancja producenta36

Podzespoły - Dyski twarde

  • Baza SCIP: 

    Nie

  • Gwarancja producenta: 

    36

  • Cechy: 

    128GB;1200/950 MB/s

  • Producent: 

    HIKSEMI

  • Opis ogólny: 

    SSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1200/950 MB/s) 3D

  • Informacje dodatkowe: 

    Maksymalny pobór prądu: 1.3 W Temperatura pracy: 0°C - 70°C Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C

  • Okres rękojmi w miesiącach: 

    24

  • Miejsce serwisowania: 

    Serwis zewnętrzny

  • Strona o towarze: 

    https://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-wave-p.html

  • Pojemność dysku: 

    128 GB

  • Interfejs: 

    M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe

  • Format dysku: 

    M.2 2280

  • Typ dysku: 

    SSD

  • Kolor obudowy: 

    Czarny (Black)

  • Prędkość odczytu (max): 

    1200 MB/s

  • Prędkość zapisu (max): 

    950 MB/s

  • Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 

    1500000 h

  • Odczyt losowy: 

    55000 IOPS

  • Zapis losowy: 

    180000 IOPS

  • Typ kości pamięci: 

    3D NAND

  • TBW (ang. Total Bytes Written): 

    80.0

  • Wsparcie dla technologii TRIM: 

    Tak

Polecamy