Wczytuję dane...
Model: MZ-QL21T900
Kod producenta: MZ-QL21T900
Waga produktu: 0.09 kg
Gwarancja: 36 miesięcy
Realizacja zamówienia: 2 dni
EAN: 8806094267150
Producent: SAMSUNG
KUP TERAZ!
i-Raty - raty online
i-Leasing - leasing online

Dysk SSD Samsung MZ-QL21T900 1,92TB 2,5" NVMe U.2 PCIe 4.0 x4 (6800/2700 MB/s)

  • Symbol producenta: MZ-QL21T900
  • EAN/UPC: 8806094267150
Specyfikacja
ProducentSamsung
Opis ogólnySSD Samsung MZ-QL21T900 1,92TB 2,5" NVMe U.2 PCIe 4.0 x4 (6800/2700 MB/s)
Informacje dodatkoweWymiary: 100,2 x 69,85 x 7 mm
Temperatura pracy: 0-70°C
Odporność na wstrząsy: 1.500 G
Okres rękojmi w miesiącach36
Miejsce serwisowaniaSerwis zewnętrzny
Strona o towarzehttps://semiconductor.samsung.com/ssd/datacenter-ssd/pm9a3/
Pojemność dysku1,92 TB
InterfejsPCIe NVMe 4.0 x4
Format dysku2,5" U.2
Typ dyskuSSD
Prędkość odczytu (max)6800 MB/s
Prędkość zapisu (max)2700 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)2000000 h
Odczyt losowy850000 IOPS
Zapis losowy130000 IOPS
Typ kości pamięciV-NAND
TBW (ang. Total Bytes Written)3504.0
Technika zapisywania danychTLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.Tak
Wsparcie dla technologii TRIMTak
Cechy1,92TB;6800/2700 MB/s
Baza SCIPNie

Podzespoły - Dyski twarde

  • Cechy: 

    1,92TB;6800/2700 MB/s

  • Baza SCIP: 

    Nie

  • Producent: 

    Samsung

  • Opis ogólny: 

    Dysk SSD Samsung PM9A3 1,92TB 2,5" NVMe U.2 PCI 4.0 x4 (6800/2700MB/s)

  • Informacje dodatkowe: 

    Wymiary: 100,2 x 69,85 x 7 mm Temperatura pracy: 0-70°C Odporność na wstrząsy: 1.500 G

  • Okres rękojmi w miesiącach: 

    60

  • Miejsce serwisowania: 

    Serwis zewnętrzny

  • Strona o towarze: 

    https://semiconductor.samsung.com/ssd/datacenter-ssd/pm9a3/

  • Pojemność dysku: 

    1,92 TB

  • Interfejs: 

    PCIe NVMe 4.0 x4

  • Format dysku: 

    2,5" U.2

  • Typ dysku: 

    SSD

  • Prędkość odczytu (max): 

    6800 MB/s

  • Prędkość zapisu (max): 

    2700 MB/s

  • Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 

    2000000 h

  • Odczyt losowy: 

    850000 IOPS

  • Zapis losowy: 

    130000 IOPS

  • Typ kości pamięci: 

    V-NAND

  • TBW (ang. Total Bytes Written): 

    3504.0

  • Technika zapisywania danych: 

    TLC

  • Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: 

    Tak

  • Wsparcie dla technologii TRIM: 

    Tak

Polecamy