Dysk SSD Samsung 990 PRO 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)
- Symbol producenta: MZ-V9P2T0BW
- EAN/UPC: 8806094215038
Specyfikacja | |
---|---|
Producent | Samsung |
Opis ogólny | SSD Samsung 990 PRO 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s) |
Informacje dodatkowe | Samsung V-NAND 3-bit MLC Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm Waga: Maks. 9 g PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 Napięcie: 3,3 V ± 5 % Temperatura pracy:0 - 70 Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy) |
Okres rękojmi w miesiącach | 24 |
Miejsce serwisowania | Serwis zewnętrzny |
Strona o towarze | https://www.samsung.com/pl/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-2tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p2t0bw/ |
Pojemność dysku | 2 TB |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Prędkość odczytu (max) | 7450 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 6900 MB/s |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Odczyt losowy | 1200000 IOPS |
Zapis losowy | 1550000 IOPS |
Rodzina dysków | 990 PRO |
Typ kości pamięci | V-NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 600.0 |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Cechy | 2TB;7450/6900 MB/s |
Baza SCIP | Nie |
Gwarancja producenta | 60 |
Podzespoły - Dyski twarde
-
Cechy:
2TB;7450/6900 MB/s
-
Baza SCIP:
Nie
-
Producent:
Samsung
-
Opis ogólny:
Dysk SSD Samsung 990 PRO 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)
-
Informacje dodatkowe:
Samsung V-NAND 3-bit MLC Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm Waga: Maks. 9 g PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 Napięcie: 3,3 V ± 5 % Temperatura pracy:0 - 70 Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
-
Okres rękojmi w miesiącach:
60
-
Miejsce serwisowania:
Serwis zewnętrzny
-
Strona o towarze:
https://www.samsung.com/pl/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-2tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p2t0bw/
-
Pojemność dysku:
2 TB
-
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
-
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
-
Format dysku:
M.2 2280
-
Typ dysku:
SSD
-
Rodzina dysków:
990 PRO
-
Prędkość odczytu (max):
7450 MB/s
-
Prędkość zapisu (max):
6900 MB/s
-
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
-
Odczyt losowy:
1200000 IOPS
-
Zapis losowy:
1550000 IOPS
-
Typ kości pamięci:
V-NAND
-
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
-
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
-
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak