Wczytuję dane...
Model: MZ-77E4T0B/EU
Kod producenta: MZ-77E4T0B/EU
Waga produktu: 0.09 kg
Gwarancja: 36 miesięcy
EAN: 8806090545894
Producent: SAMSUNG
i-Raty - raty online
i-Leasing - leasing online

Dysk SSD Samsung 870 EVO 4TB 2,5“ SATA3 (560/530) MZ-77E4T0B TLC

  • Symbol producenta: MZ-77E4T0B/EU
  • EAN/UPC: 8806090545894
Specyfikacja
ProducentSamsung
Opis ogólnySSD Samsung 870 EVO 4TB 2,5“ SATA3 (560/530) MZ-77E4T0B
Informacje dodatkoweObsługa TRIM
Obsługa WWN
S.M.A.R.T Support
Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm
NAND Type: Samsung V-NAND 2bit MLC
AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
Temperatura pracy: 0 – 70 °C
Okres rękojmi w miesiącach36
Miejsce serwisowaniaSerwis zewnętrzny
Strona o towarzehttps://www.samsung.com/pl/memory-storage/sata-ssd/870-evo-4tb-sata-3-2-5-ssd-mz-77e4t0b-eu/
Pojemność dysku4 TB
InterfejsSATA III (6 Gb/s)
Format dysku2,5 cala
Typ dyskuSSD
Prędkość odczytu (max)560 MB/s
Prędkość zapisu (max)530 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)1500000 h
Technika zapisywania danychTLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.Tak
Wsparcie dla technologii TRIMTak
Cechy4TB;560/530 Mb/s
Baza SCIPNie

Podzespoły - Dyski twarde

  • Baza SCIP: 

    Nie

  • Cechy: 

    4TB;560/530 Mb/s

  • Producent: 

    Samsung

  • Opis ogólny: 

    SSD Samsung 870 EVO 4TB 2,5“ SATA3 (560/530) MZ-77E4T0B

  • Informacje dodatkowe: 

    Obsługa TRIM Obsługa WWN S.M.A.R.T Support Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm NAND Type: Samsung V-NAND 2bit MLC AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) Temperatura pracy: 0 – 70 °C

  • Okres rękojmi w miesiącach: 

    36

  • Miejsce serwisowania: 

    Serwis zewnętrzny

  • Strona o towarze: 

    https://www.samsung.com/pl/memory-storage/sata-ssd/870-evo-4tb-sata-3-2-5-ssd-mz-77e4t0b-eu/

  • Pojemność dysku: 

    4 TB

  • Interfejs: 

    SATA III (6 Gb/s)

  • Format dysku: 

    2,5 cala

  • Typ dysku: 

    SSD

  • Prędkość odczytu (max): 

    560 MB/s

  • Prędkość zapisu (max): 

    530 MB/s

  • Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 

    1500000 h

  • Technika zapisywania danych: 

    TLC

  • Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: 

    Tak

  • Wsparcie dla technologii TRIM: 

    Tak