Wczytuję dane...
Model: MZ-77E500B/EU
Kod producenta: MZ-77E500B/EU
Waga produktu: 0.08 kg
Gwarancja: 36 miesięcy
EAN: 8806090545924
Producent: SAMSUNG
i-Raty - raty online
i-Leasing - leasing online

Dysk SSD Samsung 870 EVO 500GB 2,5“ SATA3 (560/530) V-NAND 3bit MLC

  • Symbol producenta: MZ-77E500B/EU
  • EAN/UPC: 8806090545924
Specyfikacja
ProducentSamsung
Opis ogólnySSD Samsung 870 EVO 2,5" 500GB SATA 3 (560/530 MB/s) V-NAND
Informacje dodatkoweStorage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC
Dimension (WxHxD): 100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Weight: Apporx. 45.0g
Controller: Samsung MKX Controller
Cache Memory: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM
Auto Garbage Collection Algorithm
AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Okres rękojmi w miesiącach36
Miejsce serwisowaniaSerwis zewnętrzny
Strona o towarzehttps://www.samsung.com/semiconductor/minisite/ssd/product/consumer/870evo/
Pojemność dysku500 GB
Kolor obudowyCzarny (Black)
Typ złącza7-pin S-ATA
InterfejsSATA III (6 Gb/s)
Format dysku2,5 cala
Typ dyskuSSD
Cache512 MB
Prędkość odczytu (max)560 MB/s
Prędkość zapisu (max)530 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)1500000 h
Odczyt losowy98000 IOPS
Zapis losowy88000 IOPS
Typ kości pamięciV-NAND
TBW (ang. Total Bytes Written)300.0
Technika zapisywania danychMLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.Tak
Wsparcie dla technologii TRIMTak
Cechy500GB;560/530 MB/s
Baza SCIPNie

Podzespoły - Dyski twarde

  • Producent: 

    SAMSUNG

  • Opis ogólny: 

    Dysk SSD Samsung 870 EVO 500GB 2,5“ SATA3 (560/530) V-NAND 3bit MLC

  • Okres rękojmi w miesiącach: 

    24

  • Miejsce serwisowania: 

    Serwis zewnętrzny

  • Strona producenta: 

    http://www.samsung.com/pl

  • Strona o towarze: 

    https://www.samsung.com/semiconductor/minisite/ssd/product/consumer/870evo/

  • Pojemność dysku: 

    500 GB

  • Typ złącza: 

    7-pin S-ATA

  • Interfejs: 

    SATA III (6 Gb/s)

  • Format dysku: 

    2,5 cala

  • Typ dysku: 

    SSD

  • Cache: 

    512 MB

  • Kolor obudowy: 

    Czarny (Black)

  • Prędkość odczytu (max): 

    560 MB/s

  • Prędkość zapisu (max): 

    530 MB/s

  • Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 

    1500000 h

  • Odczyt losowy: 

    98000 IOPS

  • Zapis losowy: 

    88000 IOPS

  • Typ kości pamięci: 

    V-NAND

  • TBW (ang. Total Bytes Written): 

    300.0

  • Technika zapisywania danych: 

    MLC

  • Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: 

    Tak

  • Wsparcie dla technologii TRIM: 

    Tak

Polecamy