5 szt.
X
-
Załączniki bezpieczeństwa
Załczniki do produktuZałączniki dotyczące bezpieczeństwa produktu zawierają informacje o opakowaniu produktu i mogą dostarczać kluczowych informacji dotyczących bezpieczeństwa konkretnego produktu
-
Informacje o producencie
Informacje o producencieInformacje dotyczące produktu obejmują adres i powiązane dane producenta produktu.SAMSUNG
-
Osoba odpowiedzialna w UE
Osoba odpowiedzialna w UEPodmiot gospodarczy z siedzibą w UE zapewniający zgodność produktu z wymaganymi przepisami.
Dysk SSD Samsung 9100 PRO 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 (14700/13300 MB/s)
- Symbol producenta: MZ-VAP1T0BW
- EAN/UPC: 8806095811628
| Specyfikacja | |
|---|---|
| Producent | SAMSUNG |
| Opis ogólny | SSD Samsung 9100 PRO 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 (14700/13300 MB/s) |
| Informacje dodatkowe | Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC Wymiary: Maks. 80,15 x Maks 22,15 x Maks 2,38mm Waga: Maks. 9 g Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0 Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 % Temperatura pracy: 0°C - 70°C Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa) Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany) |
| Okres rękojmi w miesiącach | 24 |
| Miejsce serwisowania | Serwis zewnętrzny |
| Strona o towarze | https://www.samsung.com/pl/memory-storage/nvme-ssd/9100-pro-1tb-nvme-pcie-gen-5-mz-vap1t0bw/ |
| Pojemność dysku | 1 TB |
| Interfejs | M.2 PCIe NVMe |
| Format dysku | M.2 2280 |
| Typ dysku | SSD |
| Prędkość odczytu (max) | 14700 MB/s |
| Prędkość zapisu (max) | 13300 MB/s |
| Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
| Odczyt losowy | 1850000 IOPS |
| Zapis losowy | 2600000 IOPS |
| Typ kości pamięci | V-NAND |
| TBW (ang. Total Bytes Written) | 600.0 |
| Technika zapisywania danych | TLC |
| Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
| Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
| Cechy | 1TB;14700/13300 MB/s |
| Baza SCIP | Nie |
| Gwarancja producenta [mies.] | 60 |
Polecamy
