Dysk SSD HIKSEMI FUTURE 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7050/4200 MB/s) 3D TLC
- Symbol producenta: HS-SSD-FUTURE(STD)/512G/PCIE4/WW
- EAN/UPC: 6974202725310
Specyfikacja | |
---|---|
Producent | HIKSEMI |
Opis ogólny | SSD HIKSEMI FUTURE 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7050/4200 MB/s) 3D TLC |
Informacje dodatkowe | Maksymalny pobór prądu: 3.66 W AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667 Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection RAID5 & 6 Temperatura pracy: 0°C - 70°C Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C |
Okres rękojmi w miesiącach | 24 |
Miejsce serwisowania | Serwis zewnętrzny |
Strona o towarze | https://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-future.html |
Pojemność dysku | 512 GB |
Kolor obudowy | Czarny (Black) |
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Prędkość odczytu (max) | 7050 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 4200 MB/s |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 2000000 h |
Odczyt losowy | 710000 IOPS |
Zapis losowy | 640000 IOPS |
Typ kości pamięci | 3D NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 900.0 |
Technika zapisywania danych | TLC |
Cechy | 512GB;7050/4200 MB/s |
Baza SCIP | Nie |
Gwarancja producenta | 60 |
Podzespoły - Dyski twarde
-
Baza SCIP:
Nie
-
Gwarancja producenta:
60
-
Cechy:
512GB;7050/4200 MB/s
-
Producent:
HIKSEMI
-
Opis ogólny:
Dysk SSD HIKSEMI FUTURE 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7050/4200 MB/s)
-
Informacje dodatkowe:
Maksymalny pobór prądu: 3.66 W AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667 Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection RAID5 & 6 Temperatura pracy: 0°C - 70°C Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
-
Okres rękojmi w miesiącach:
24
-
Miejsce serwisowania:
Serwis zewnętrzny
-
Strona o towarze:
https://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-future.html
-
Pojemność dysku:
512 GB
-
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
-
Format dysku:
M.2 2280
-
Typ dysku:
SSD
-
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
-
Prędkość odczytu (max):
7050 MB/s
-
Prędkość zapisu (max):
4200 MB/s
-
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
-
Odczyt losowy:
710000 IOPS
-
Zapis losowy:
640000 IOPS
-
Typ kości pamięci:
3D NAND
-
TBW (ang. Total Bytes Written):
900.0
-
Technika zapisywania danych:
TLC