Dysk SSD HIKSEMI WAVE Pro (P) 512GB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (3500/1800 MB/s) 3D TLC
- Symbol producenta: HS-SSD-WAVE Pro(P)(STD)/512G/PCIE3/WW
- EAN/UPC: 6974202725747
Specyfikacja | |
---|---|
Producent | HIKSEMI |
Opis ogólny | SSD HIKSEMI WAVE Pro (P) 512GB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (3500/1800 MB/s) |
Informacje dodatkowe | Maksymalny pobór prądu: 3 W Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F) Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F) |
Okres rękojmi w miesiącach | 24 |
Miejsce serwisowania | Serwis zewnętrzny |
Strona o towarze | https://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-wave-pro-p.html |
Pojemność dysku | 512 GB |
Kolor obudowy | Czarny (Black) |
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Prędkość odczytu (max) | 3500 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 1800 MB/s |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Odczyt losowy | 200000 IOPS |
Zapis losowy | 155000 IOPS |
Typ kości pamięci | 3D NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 224.0 |
Technika zapisywania danych | TLC |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Cechy | 512GB;3500/1800 MB/s |
Baza SCIP | Nie |
Gwarancja producenta | 60 |
Podzespoły - Dyski twarde
-
Baza SCIP:
Nie
-
Gwarancja producenta:
60
-
Cechy:
512GB;3500/1800 MB/s
-
Producent:
HIKSEMI
-
Opis ogólny:
SSD HIKSEMI WAVE Pro (P) 512GB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (3500/1800 MB/s)
-
Informacje dodatkowe:
Maksymalny pobór prądu: 3 W Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F) Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
-
Okres rękojmi w miesiącach:
24
-
Miejsce serwisowania:
Serwis zewnętrzny
-
Strona o towarze:
https://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-wave-pro-p.html
-
Pojemność dysku:
512 GB
-
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
-
Format dysku:
M.2 2280
-
Typ dysku:
SSD
-
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
-
Prędkość odczytu (max):
3500 MB/s
-
Prędkość zapisu (max):
1800 MB/s
-
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
-
Odczyt losowy:
200000 IOPS
-
Zapis losowy:
155000 IOPS
-
Typ kości pamięci:
3D NAND
-
TBW (ang. Total Bytes Written):
224.0
-
Technika zapisywania danych:
TLC
-
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak