Dysk SSD HIKSEMI WAVE Pro (P) 1TB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (3520/2900 MB/s) 3D TLC
- Symbol producenta: HS-SSD-WAVE Pro(P)(STD)/1024G/PCIE3/WW
- EAN/UPC: 6974202725754
Specyfikacja | |
---|---|
Producent | HIKSEMI |
Opis ogólny | SSD HIKSEMI WAVE Pro (P) 1TB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (3520/2900 MB/s) 3D |
Informacje dodatkowe | Maksymalny pobór prądu: 4.5 W Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F) Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F) |
Okres rękojmi w miesiącach | 24 |
Miejsce serwisowania | Serwis zewnętrzny |
Strona o towarze | https://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-wave-pro-p.html |
Pojemność dysku | 1 TB |
Kolor obudowy | Czarny (Black) |
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Prędkość odczytu (max) | 3520 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 2900 MB/s |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Odczyt losowy | 195000 IOPS |
Zapis losowy | 150000 IOPS |
Typ kości pamięci | 3D NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 448.0 |
Technika zapisywania danych | TLC |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Cechy | 1TB;3520/2900 MB/s |
Baza SCIP | Nie |
Gwarancja producenta | 60 |
Podzespoły - Dyski twarde
-
Baza SCIP:
Nie
-
Gwarancja producenta:
60
-
Cechy:
1TB;3520/2900 MB/s
-
Producent:
HIKSEMI
-
Opis ogólny:
SSD HIKSEMI WAVE Pro (P) 1TB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (3520/2900 MB/s) 3D
-
Informacje dodatkowe:
Maksymalny pobór prądu: 4.5 W Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F) Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
-
Okres rękojmi w miesiącach:
24
-
Miejsce serwisowania:
Serwis zewnętrzny
-
Strona o towarze:
https://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-wave-pro-p.html
-
Pojemność dysku:
1 TB
-
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
-
Format dysku:
M.2 2280
-
Typ dysku:
SSD
-
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
-
Prędkość odczytu (max):
3520 MB/s
-
Prędkość zapisu (max):
2900 MB/s
-
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
-
Odczyt losowy:
195000 IOPS
-
Zapis losowy:
150000 IOPS
-
Typ kości pamięci:
3D NAND
-
TBW (ang. Total Bytes Written):
448.0
-
Technika zapisywania danych:
TLC
-
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak