Wczytuję dane...
Model: AG512K1TB
Kod producenta: AG512K1TB
Waga produktu: 0.15 kg
Gwarancja: 36 miesięcy
EAN: 4719331855949
Producent: GIGABYTE
i-Raty - raty online
i-Leasing - leasing online

Dysk SSD Gigabyte AORUS Gen5 12000 SSD 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 (11700/9500 MB/s) 3D TLC

  • Symbol producenta: AG512K1TB
  • EAN/UPC: 4719331855949
Specyfikacja
ProducentGIGABYTE
Opis ogólnySSD Gigabyte AORUS Gen5 12000 SSD 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 11700/9500 MB/s
Informacje dodatkoweNVMe 2.0
External DDR Cache LPDDR4 4GB
Dimension:
- SSD without Heatsink: 80 x 22 x 3.5mm
- SSD with Heatsink: 92 x 23.5 x 44.7 mm
Max. Operating Power: 11W
Power Consumption (Idle, PS3): <144mW
Power Consumption(PS4, L1.2): <85mW
Temperature (Operating): 0°C to 70°C
Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Warranty: Limited 5-years or 700TBW
Okres rękojmi w miesiącach36
Miejsce serwisowaniaIncom Group SA
Strona o towarzehttps://www.gigabyte.com/SSD/AORUS-Gen5-12000-SSD-1TB#kf
Pojemność dysku1 TB
Typ złączaM.2 (NGFF)
InterfejsPCIe NVMe 5.0 x4
Format dyskuM.2 2280
Typ dyskuSSD
Cache4096 MB
Prędkość odczytu (max)11700 MB/s
Prędkość zapisu (max)9500 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)1600000 h
Typ kości pamięci3D NAND
TBW (ang. Total Bytes Written)700.0
Technika zapisywania danychTLC
Cechy1TB;11700/9500 MB/s
Baza SCIPNie
Gwarancja producenta60

Podzespoły - Dyski twarde

  • Gwarancja producenta: 

    60

  • Cechy: 

    1TB;11700/9500 MB/s

  • Baza SCIP: 

    Nie

  • Opis ogólny: 

    SD Gigabyte AORUS Gen5 12000 SSD 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 (11700/9500 MB/s)

  • Okres rękojmi w miesiącach: 

    36

  • Miejsce serwisowania: 

    Incom Group SA

  • Strona o towarze: 

    https://www.gigabyte.com/SSD/AORUS-Gen5-12000-SSD-1TB#kf

  • Pojemność dysku: 

    1 TB

  • Typ złącza: 

    M.2 (NGFF)

  • Interfejs: 

    PCIe NVMe 5.0 x4

  • Format dysku: 

    M.2 2280

  • Typ dysku: 

    SSD

  • Cache: 

    4096 MB

  • Prędkość odczytu (max): 

    11700 MB/s

  • Prędkość zapisu (max): 

    9500 MB/s

  • Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 

    1600000 h

  • Typ kości pamięci: 

    3D NAND

  • TBW (ang. Total Bytes Written): 

    700.0

  • Technika zapisywania danych: 

    TLC