Wczytuję dane...
Model: AP512GAS2280Q4U-1
Kod producenta: AP512GAS2280Q4U-1
Waga produktu: 0.08 kg
Gwarancja: 60 miesięcy
Realizacja zamówienia: 2 dni
EAN: 4712389919847
Producent: APACER
i-Raty - raty online
i-Leasing - leasing online

Dysk SSD Apacer AS2280Q4U 512GB M.2 PCIe Gen4x4 2280 (7000/3000 MB/s) 3D NAND

  • Symbol producenta: AP512GAS2280Q4U-1
  • EAN/UPC: 4712389919847
Specyfikacja
ProducentApacer
Opis ogólnySSD Apacer AS2280Q4U 512GB M.2 PCIe Gen4x4 2280 (7000/3000 MB/s) 3D NAND
Informacje dodatkoweStandard Operating: 0°C ~ +70°C
Shock: 1,500 G
80.00 x 22.00 x 2.25mm
RoHS Comply
75-pin M.2 module pinout
Supply Voltage: 3.3 V ± 5%
CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS
Okres rękojmi w miesiącach60
Miejsce serwisowaniaIncom Group SA
Pojemność dysku512 GB
Typ złączaM.2 (NGFF)
InterfejsPCIe NVMe 4.0 x4
Format dyskuM.2 2280
Typ dyskuSSD
Prędkość odczytu (max)7000 MB/s
Prędkość zapisu (max)3000 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)1600000 h
Odczyt losowy300000 IOPS
Zapis losowy450000 IOPS
Typ kości pamięci3D NAND
TBW (ang. Total Bytes Written)350.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.Tak
Wsparcie dla technologii TRIMTak
Cechy512GB;7000/3000 MB/s
Baza SCIPNie

Podzespoły - Dyski twarde

  • Cechy: 

    512GB;7400/7000 MB/s

  • Baza SCIP: 

    Nie

  • Producent: 

    Apacer

  • Opis ogólny: 

    SSD Apacer AS2280Q4U 512GB M.2 PCIe Gen4x4 2280 (7400/7000 MB/s) 3D NAND

  • Informacje dodatkowe: 

    Standard Operating: 0°C ~ +70°C Shock: 1,500 G 80.00 x 22.00 x 2.25mm RoHS Comply 75-pin M.2 module pinout Supply Voltage: 3.3 V ± 5% CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS

  • Okres rękojmi w miesiącach: 

    60

  • Miejsce serwisowania: 

    Incom Group SA

  • Pojemność dysku: 

    512 GB

  • Typ złącza: 

    M.2 (NGFF)

  • Interfejs: 

    PCIe NVMe 4.0 x4

  • Format dysku: 

    M.2 2280

  • Typ dysku: 

    SSD

  • Prędkość odczytu (max): 

    7400 MB/s

  • Prędkość zapisu (max): 

    7000 MB/s

  • Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 

    1600000 h

  • Odczyt losowy: 

    300000 IOPS

  • Zapis losowy: 

    450000 IOPS

  • Typ kości pamięci: 

    3D NAND

  • TBW (ang. Total Bytes Written): 

    350.0

  • Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: 

    Tak

  • Wsparcie dla technologii TRIM: 

    Tak