Dysk SSD Gigabyte AORUS Gen4 5000E 500GB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (5000/3800 MB/s) 3D TLC
- Symbol producenta: AG450E500G-G
- EAN/UPC: 4719331849627
Specyfikacja | |
---|---|
Producent | GIGABYTE |
Opis ogólny | SSD Gigabyte AORUS Gen4 5000E 500GB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 5000/3800MB/s |
Informacje dodatkowe | NVMe 1.4 NAND: 3D TLC NAND Flash Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm Power Consumption (Active): Average : R : 4,0W / W : 4,0W Power Consumption(Idle)(ASPT on): 20mW Temperature (Operating): 0°C to 70°C Temperature (Storage): -40°C to 85°C |
Okres rękojmi w miesiącach | 36 |
Miejsce serwisowania | Incom Group SA |
Strona o towarze | https://www.gigabyte.com/SSD/AORUS-Gen4-5000E-SSD-500GB#kf |
Pojemność dysku | 500 GB |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Interfejs | PCIe NVMe 4.0 x4 |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Prędkość odczytu (max) | 5000 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 3800 MB/s |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Rodzina dysków | Gen4 5000E |
Typ kości pamięci | 3D NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 300.0 |
Technika zapisywania danych | TLC |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Cechy | 500GB;5000/3800 MB/s |
Baza SCIP | Nie |
Podzespoły - Dyski twarde
-
Cechy:
500GB;5000/3800 MB/s
-
Baza SCIP:
Nie
-
Opis ogólny:
SSD Gigabyte AORUS Gen4 5000E 500GB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 5000/3800MB/s
-
Informacje dodatkowe:
NVMe 1.4 NAND: 3D TLC NAND Flash Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm Power Consumption (Active): Average : R : 4,0W / W : 4,0W Power Consumption(Idle)(ASPT on): 20mW Temperature (Operating): 0°C to 70°C Temperature (Storage): -40°C to 85°C
-
Okres rękojmi w miesiącach:
36
-
Miejsce serwisowania:
Incom Group SA
-
Strona o towarze:
https://www.gigabyte.com/SSD/AORUS-Gen4-5000E-SSD-500GB#kf
-
Pojemność dysku:
500 GB
-
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
-
Interfejs:
PCIe NVMe 4.0 x4
-
Format dysku:
M.2 2280
-
Typ dysku:
SSD
-
Rodzina dysków:
Gen4 5000E
-
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
-
Prędkość zapisu (max):
3800 MB/s
-
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
-
Typ kości pamięci:
3D NAND
-
TBW (ang. Total Bytes Written):
300.0
-
Technika zapisywania danych:
TLC
-
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
-
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak