Dysk SSD Gigabyte Gen3 2500E 1TB M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 (2400/1800 MB/s) 3D NAND
- Symbol producenta: G325E1TB
- EAN/UPC: 4719331844387
Specyfikacja | |
---|---|
Producent | GIGABYTE |
Opis ogólny | SSD Gigabyte Gen3 2500E 1TB M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 (2400/1800 MB/s) 3D |
Informacje dodatkowe | NVMe 1.3 NAND: 3D NAND Flash Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm Power Consumption (Active): Average : R : 2,67W / W : 3,20W Power Consumption(Idle)(ASPT on): 30mW Temperature (Operating): 0°C to 70°C Temperature (Storage): -40°C to 85°C |
Okres rękojmi w miesiącach | 36 |
Miejsce serwisowania | Incom Group SA |
Strona o towarze | https://www.gigabyte.com/SSD/GIGABYTE-Gen3-2500E-SSD-1TB#kf |
Pojemność dysku | 1 TB |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Interfejs | PCIe NVMe 3.0 x4 |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Prędkość odczytu (max) | 2400 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 1800 MB/s |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Odczyt losowy | 130000 IOPS |
Zapis losowy | 350000 IOPS |
Rodzina dysków | Gen3 2500E |
Typ kości pamięci | 3D NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 240.0 |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Cechy | 1TB;2400/1800 MB/s |
Baza SCIP | Nie |
Podzespoły - Dyski twarde
-
Cechy:
1TB;2400/1800 MB/s
-
Baza SCIP:
Nie
-
Opis ogólny:
SSD Gigabyte Gen3 2500E 1TB M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 (2400/1800 MB/s) 3D
-
Informacje dodatkowe:
NVMe 1.3 NAND: 3D NAND Flash Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm Power Consumption (Active): Average : R : 2,67W / W : 3,20W Power Consumption(Idle)(ASPT on): 30mW Temperature (Operating): 0°C to 70°C Temperature (Storage): -40°C to 85°C
-
Okres rękojmi w miesiącach:
36
-
Miejsce serwisowania:
Incom Group SA
-
Strona o towarze:
https://www.gigabyte.com/SSD/GIGABYTE-Gen3-2500E-SSD-1TB#kf
-
Pojemność dysku:
1 TB
-
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
-
Interfejs:
PCIe NVMe 3.0 x4
-
Format dysku:
M.2 2280
-
Typ dysku:
SSD
-
Rodzina dysków:
Gen3 2500E
-
Prędkość odczytu (max):
2400 MB/s
-
Prędkość zapisu (max):
1800 MB/s
-
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
-
Odczyt losowy:
130000 IOPS
-
Zapis losowy:
350000 IOPS
-
Typ kości pamięci:
3D NAND
-
TBW (ang. Total Bytes Written):
240.0
-
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
-
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak