Wczytuję dane...
Model: GP-ASM2NE6100TTTD
Kod producenta: GP-ASM2NE6100TTTD
Waga produktu: 0.18 kg
Gwarancja: 36 miesięcy
EAN: 4719331805784
Producent: GIGABYTE
i-Raty - raty online
i-Leasing - leasing online

Dysk SSD Gigabyte AORUS SSD 1TB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (5000/4400 MB/s) 3D TLC

  • Symbol producenta: GP-ASM2NE6100TTTD
  • EAN/UPC: 4719331805784
Specyfikacja
ProducentGIGABYTE
Opis ogólnySSD Gigabyte AORUS 1TB M.2 PCIe 4.0 (5000/4400 MB/s)
Informacje dodatkoweNAND: 3D TLC Toshiba BiCS4
Power Consumption (Active): Średnio: R : 6,5W; W : 6,6W
Power Consumption (Idle): 21,1 mW
Temperature (Operating): 0°C to 70°C
Temperature (Storage): -40°C do 85°C
Dimension (W x H x L): 80,5 x 11,4 x 22 mm
Okres rękojmi w miesiącach36
Miejsce serwisowaniaIncom Group SA
Strona o towarzehttps://www.gigabyte.com/us/Solid-State-Drive/AORUS-NVMe-Gen4-SSD-1TB#kf
Pojemność dysku1 TB
Typ złączaM.2 (NGFF)
InterfejsPCIe NVMe 4.0 x4
Format dyskuM.2 2280
Typ dyskuSSD
Prędkość odczytu (max)5000 MB/s
Prędkość zapisu (max)4400 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)1770000 h
Odczyt losowy750000 IOPS
Zapis losowy700000 IOPS
Typ kości pamięciTLC
Technika zapisywania danychTLC
Cechy1TB;5000/4400 MB/s
Baza SCIPNie

Podzespoły - Dyski twarde

  • Producent: 

    GIGABYTE

  • Opis ogólny: 

    Dysk SSD Gigabyte AORUS SSD 1TB M.2 2280 PCI-Express 4.0 x4(5000/4400 MB/s)

  • Informacje dodatkowe: 

    NAND: 3D TLC Toshiba BiCS4 Power Consumption (Active): Średnio: R : 6,5W; W : 6,6W Power Consumption (Idle): 21,1 mW Temperature (Operating): 0°C to 70°C Temperature (Storage): -40°C do 85°C Dimension (W x H x L): 80,5 x 11,4 x 22 mm

  • Okres rękojmi w miesiącach: 

    36

  • Miejsce serwisowania: 

    Incom Group SA

  • Strona o towarze: 

    https://www.gigabyte.com/us/Solid-State-Drive/AORUS-NVMe-Gen4-SSD-1TB#kf

  • Pojemność dysku: 

    1 TB

  • Typ złącza: 

    PCI Express

  • Interfejs: 

    PCIe NVMe 4.0 x4

  • Format dysku: 

    M.2 2280

  • Typ dysku: 

    SSD

  • Prędkość odczytu (max): 

    5000 MB/s

  • Prędkość zapisu (max): 

    4400 MB/s

  • Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 

    1770000 h

  • Odczyt losowy: 

    750000 IOPS

  • Zapis losowy: 

    700000 IOPS

  • Typ kości pamięci: 

    TLC

  • Technika zapisywania danych: 

    TLC